Aixtron beteiligt sich am 300-mm-GaN-Programm von imec

Aixtron SE beteiligt sich mit seiner Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-Anlage am neuen 300-mm-GaN-Forschungsprogramm von imec im belgischen Leuven. Mit dem System werden künftig Epitaxiewafer produziert, die nach Angaben des Unternehmens aus Herzogenrath bei Aachen vom Dienstag Partnern im Programm für die Entwicklung von Anwendungen in der Leistungselektronik zur Verfügung stehen. Dazu zählen unter anderem On-Board-Charger und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für Solaranlagen sowie Stromversorgungssysteme für Rechenzentren.

Imec hat sein bisher auf 200 mm Wafern basierendes GaN-Power-Programm auf 300 mm erweitert, um neue Prozessabläufe für High-Electron-Mobility-Transistors zu entwickeln. Größere Substrate sollen sowohl die Kosten für GaN-Bauelemente senken als auch die Entwicklung leistungsfähigerer Elektronik ermöglichen.

Aixtron und imec arbeiten bereits seit Jahren zusammen, unter anderem mit den Anlagen G5+ C und G10-GaN. „Es war für uns nur konsequent, die Partnerschaft mit imec im Bereich 300 mm GaN fortzusetzen, um die Einführung der Galliumnitrid-Technologie in immer mehr siliziumbasierten Anwendungen weiter zu beschleunigen. Die Zusammenarbeit stellt sicher, dass unsere Kunden direkt auf ihren MOCVD-Systemen von den neuesten Prozessfortschritten bei imec profitieren”, so Aixtron-CEO Felix Grawert.

Die Aixtron Aktie (WKN: A0WMPJ, ISIN: DE000A0WMPJ6, Chart, News) notiert bei 15,035 Euro mit 0,6 Prozent im Plus.

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